سامسونج تعلن عن شريحة ذاكرة جديدة تُمهد لإنتاج ذواكر عشوائية بسعة 4 غيغابايت للهواتف
في سعيها المستمر للتفوق على منافسيها، أعلنت شركة سامسونج اليوم عن إطلاق شريحة ذاكرة عشوائية جديدة من نوع DRAM، تُمهد لإنتاج ذواكر عشوائية للهواتف الذكية بسعة 4 غيغابايت خلال العام 2014، وهذا أعلى
من أقصى مقدار للذاكرة العشوائية متوفر في الهواتف حاليًا وهو 3 غيغابايت.
من أقصى مقدار للذاكرة العشوائية متوفر في الهواتف حاليًا وهو 3 غيغابايت.
الذاكرة الجديدة هي أول ذاكرة LPDDR4 بسعة 8 Gb (غيغابِت وليس غيغابايت). دون الدخول في الكثير من التفاصيل التقنية، فإن 8 غيغابِت Gb مع دقة التصنيع في هذه الشريحة التي تبلغ 20 نانومتر، تعني بأن سامسونج تستطيع وضع 1 غيغابايت GB من الذاكرة ضمن كل دارة سيليكونية، ويمكن لهذه الذاكرة أن تتسع إلى أربع دارات رئيسية، فهذا يعني أننا أمام أول شريحة ذاكرة عشوائية للهواتف والحواسب اللوحية يمكن إنتاجها بـ 4 غيغابايت من الذاكرة، وإن كان يمكن استخدامها كذلك لتصنيع ذواكر بأحجام أقل.
عدا عن جهوزية هذه التقنية لصناعة ذواكر بحجم 4 غيغابايت، فهي تتميز بأنها تقدم أداءً أعلى بنسبة 50 بالمئة من أسرع ذواكر LPDDR3 الموجودة حاليًا مع استهلاك للطاقة أقل بنسبة 40 بالمئة.
لم توضح سامسونج متى يمكن أن نرى الذاكرة الجديدة في الهواتف، لكنها قالت أنها مخصصة لشريحة الأجهزة ذات المواصفات المتقدمة وبشكل أكثر تحديدًا الأجهزة ذات الدقة الفائقة UHD من هواتف وحواسب لوحية والحواسب المحمولة النحيفة.
من المتوقع أن نرى هذه الذاكرة في أجهزة سامسونج القادمة والبارزة مثل Galaxy S5، وفي العديد من الأجهزة الأخرى البارزة خلال العام القادم.
المصدر: أردرويد
